![igbt的意思]( "igbt的意思")
- 1、IGBT是絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小...
- 4216
![igbt作用]( "igbt作用")
- igbt的作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP電晶體提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率...
- 31518
![判斷igbt的好壞的方法]( "判斷igbt的好壞的方法")
- 1、IGBT管的好壞可用指標萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數字萬用表的“二極體”擋來測量PN接面正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的準確度；然後用指標萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管（正常G-E兩極與G-c兩極間的...
- 17400
![什麼是igbt]( "什麼是igbt")
- IGBT是絕緣柵雙極型電晶體。是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。靜態特性：ＩＧＢＴ的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。ＩＧＢＴ的伏安特性是指以柵源電壓Ｕｇｓ為參變數時，漏...
- 20180
![PWM控制IGBT的工作原理]( "PWM控制IGBT的工作原理")
- 工作原理:1、PWM控制技術在逆變電路中應用最廣，應用的逆變電路絕大部分是PWM型，PWM控制技術正是有賴於在逆變電路中的應用，才確定了它在電力電子技術中的重要地位。1PWM控制的基本原理的理論基礎：衝量相等而形狀不同；2、PWM控制的基本原理很早就已經提出，但是受電力電子器件發...
- 28032
![如何判斷igbt的好壞]( "如何判斷igbt的好壞")
- 1、IGBT管的好壞可用指標萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數字萬用表的“二極體”擋來測量PN接面正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的準確度；然後用指標萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管（正常G-E兩極與G-c兩極間的...
- 10213
![如何判斷igbt的好壞 判斷igbt的好壞的方法]( "如何判斷igbt的好壞 判斷igbt的好壞的方法")
- 1、IGBT管的好壞可用指標萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數字萬用表的“二極體”擋來測量PN接面正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的準確度；然後用指標萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管（正常G-E兩極與G-c兩極間的...
- 17068
![igbt模組的作用]( "igbt模組的作用")
- IGBT非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效電晶體）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的...
- 30861
![igbt怎麼測量好壞 igbt如何測量好壞]( "igbt怎麼測量好壞 igbt如何測量好壞")
- 1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設定到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極(G)。3、用萬用表測量剩下的兩極,如果被測電阻為無窮...
- 27628
![igbt是什麼]( "igbt是什麼")
- 1、IGBT是絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小...
- 10953
![igbt怎麼測量好壞]( "igbt怎麼測量好壞")
- 1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設定到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極(G)。3、用萬用表測量剩下的兩極,如果被測電阻為無窮...
- 25616
![IGBT開關的基礎知識]( "IGBT開關的基礎知識")
- IGBT是絕緣柵雙極型電晶體，由雙極型三極體和絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的...
- 21055
![igbt如何測量好壞]( "igbt如何測量好壞")
- 1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設定到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極(G)。3、用萬用表測量剩下的兩極,如果被測電阻為無窮...
- 14516
生活全書館
