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繼電器和mos管功耗一樣嗎

繼電器和mos管功耗一樣嗎

繼電器和mos管功耗不一樣,MOS是場效應電晶體,而繼電器屬於開關電器,兩者不存在共用或者互換的地方。繼電器是一種電控制器件,是當輸入量的變化達到規定要求時,在電氣輸出電路中使被控量發生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統和被控制系統之間的互動關係。通常應用於自動化的控制電路中,它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種自動開關。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。

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mos管繼電器之間有什麼區別

共同點是用小訊號控制器大電流。但mos管是電壓驅動,繼電器是電流驅動,最大的區別是mos管可以工作在幾十k或幾百K以上的頻率。繼電器遠達不到這樣的工作頻率。

mosfet可以替代繼電器嗎?常用的mosfet有哪些?

看情況,理論上說,它可以代替繼電器,實現電路的開關,具有功耗低,開關速度快,電路簡單、成本低等優點。

不過在實際使用時,MOSFET的關斷比較麻煩,比開啟麻煩多了,有些人嫌麻煩會直接用繼電器。另外,在直流控制交流的時候,比如用5V

DC控制220V

AC時,繼電器也比MOSFET要方便得多。

常用的MOSFET以N溝道增強型的為主,比如IRF公司出的很多產品,比如IRF530,IRF540,IRF1405,IRF3205,IRF840,IRFZ44N,IRFP460,IRFP150等等,以上都是N溝道增強型,P溝道增強型有IRF9530,IRF9540等等,還有諸如2N7002等貼片封裝的增強型NMOS。耗盡型我沒用過。種類很多很多,具體要看你的電流,工作要求定。

求什麼開關管(MOS管,可控矽,光耦,繼電器)耗電最小?

你上問的四類中繼電器的功耗最小,因它的觸點電阻最小。

繼電器做開關和MOSFET做開關,兩者有什麼區別呢?

1、阻抗不同,為了實施開關動作,其耗電量不同。x0dx0a(1)MOSFET為電壓控制的(voltage-controlled)元件,也就是為了能在漏極端有電流產生,必須在閘極與源極之間,提供額定的電壓值,由於MOSFET的閘極端與源極端之間會被氧化矽層(siliconoxidelayer)作電氣上的隔離,因此,僅有微量的漏電流會由所供應的電壓源進入閘極。所以MOSFET具有極高的增益與極高的阻抗。x0dx0ax0dx0a(2)繼電器是通過線圈控制的,必須施加電流,其阻抗低,為了開關耗費的電量相對大一些。x0dx0a2、關斷原理不同x0dx0a(1)要將MOSFET關閉(OFF)時,只要將閘極至源極電壓移去,即可將MOSFET達至OFF狀態。在移去閘極電壓時電晶體會關閉,此時漏極與源極之間會呈現非常高的阻抗,因而除了漏電流(幾微安培),可抑制其它的電流產生。x0dx0a(2)繼電器是通過改變繼電器線圈的電流,實現觸點分離,理論上可以說,斷開後沒有漏電流。x0dx0ax0dx0a3、要想實現常開(常閉)開關,繼電器很好實現,而MOSFET需要合理設計電路才行。

mos管和繼電器有什麼區別嗎? 控制電磁閥那個更好

mos管是半導體元件,耐過流、過熱性沒繼電器好。但通斷無噪音,無火花。另外mos管是壓控元件,控制電流小。工業用還是繼電器更可靠,環境要求更低。

MOSFET是幹啥用的,是相當於繼電器嗎

MOSFET多為功率場效電晶體。是電晶體的一種。能以極低的(幾乎為零)的電能控制大功率負荷的通斷,接合光電耦合器和適當的MOSFET組合可達到隔離、雙向導通的控制效果,等效於繼電器,在開關速度以及耐壓、抗震方面高於電磁繼電器指標。同等負載功率下,成本也遠低於繼電器。缺點是比電磁繼電器容易隨壞,需要更多的保護電路來配合使用才能提高穩定性。另外,電磁繼電器可輕而易舉達到多組觸點隔離聯動、常開常閉功能,一隻(或一對)MOSFET只能實現一個觸點,要想實現多組以及三點開關(常開常閉)這些功能,工程可就大了。

mos管繼電器之間有什麼區別

NO端的PMOS管的接法有問題,按這個接法恐怕無法導通,需要進行調整。 驅動切換時間不知道需要多快,目前這個電路做到毫秒以內是沒有問題的;電源輸入不穩定方面的影響,只要電源上不出現特別大的波動(低到10V以內),問題都不會太大。 需要注意的是MOS管的開啟電壓和光耦輸出端的飽和壓降之間的配合,光耦飽和壓降應該低於開啟電壓一半以上。

繼電器與MOS管,用哪個

你好,

採用線圈電壓較低的多個優質密封小型繼電器組合而成,防潮、防塵、不斷線,可靠性高,克服了電檢視圖片[中間繼電器樣本圖]磁型中間繼電器導線過細易斷線的缺點;功耗小,溫升低,不需外附大功率電阻,可任意安裝及接線方便;繼電器觸點容量大,工作壽命長;繼電器動作後有發光管指示,便於現場觀察;延時只需用面板上的撥碼開關整定,延時精度高,延時範圍可在0.02-5.00S任意整定。

中間繼電器的用途:

中間繼電器用於各種保護和自動控制線路中,以增加保護和控制迴路的觸點數量和觸點容量。

誰知道用mos管控制導通三極體的和繼電器控制導通各有什麼區別特點或者說應用場合?

三極體:最熟悉,不過管耗很大,效率不高,且速度慢。

MOS管:理論上很容易控制,而且速度快,實際控制的話並不容易,需要專用驅動晶片,而且關閉比開啟要難得多,經常會出現關不斷的情況(特別是對於新手)。

繼電器:在6A這種場合,你可以考慮固態繼電器,控制起來非常方便,開關幾十萬次問題不大。不過你要是頻繁開啟(比如每秒鐘要開關幾十次),並不合適。

mos管的功率和功耗分別是什麼?

功率指物體在單位時間內所做的功的多少,即功率為描述做功快慢的物理量。功的數量一定,時間越短,功率值就越大。求功率的公式為功率=功/時間。

功耗,功率的損耗,指裝置、器件等輸入功率和輸出功率的差額。電路中通常指元、器件上耗散的熱能。功耗同樣是所有的電器裝置都有的一個指標,指在單位時間中所消耗的能源的數量,單位為W。電路中指整機或裝置所需的電源功率。

擴充套件資料

功率就是表示物體做功快慢的物理量,物理學裡功率P=功J/時間t,單位是瓦w,我們在媒體上常常看見的功率單位有kW、Ps、hp、bhp、whpmw等,還有義大利以前用的cv。

千瓦kW為國際標準單位,1kW=1000W,用1秒做完1000焦耳的功,其功率就是1kw。日常生活中,常常把功率俗稱為馬力,單位是匹,就像將扭矩稱為扭力一樣。

功耗分兩種:來自開關的動態功耗,和來自漏電的靜態功耗。而動態功耗又可分為電容充放電(包括網路電容和輸入負載),還有當P/N MOS 同時開啟形成的瞬間短路電流。

靜態功耗也可分為幾類:擴散區和襯底形成二極體的反偏電流(Idiode),另外一類為關斷電晶體中通過柵氧的電流(Isubthreshold)。晶片的漏電會隨溫度變化,所以當晶片發熱時,靜態功耗指數上升。另外漏電流也會隨特徵尺寸減少而增加。

參考資料來源:百度百科-功率

參考資料來源:百度百科-功耗

標籤: mos 繼電器 功耗
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